| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP200N3LL |
| EBEE-Teilenummer | E82971658 |
| Gehäuse | TO-220-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 120A 2.4mΩ@10V,60A 176.5W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4244 | $ 3.4244 |
| 10+ | $2.9764 | $ 29.7640 |
| 30+ | $2.6965 | $ 80.8950 |
| 100+ | $2.3009 | $ 230.0900 |
| 500+ | $2.1710 | $ 1085.5000 |
| 1000+ | $2.1150 | $ 2115.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP200N3LL | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 120A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,60A | |
| Stromableitung (Pd) | 176.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 510pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 5.2nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4244 | $ 3.4244 |
| 10+ | $2.9764 | $ 29.7640 |
| 30+ | $2.6965 | $ 80.8950 |
| 100+ | $2.3009 | $ 230.0900 |
| 500+ | $2.1710 | $ 1085.5000 |
| 1000+ | $2.1150 | $ 2115.0000 |
