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STMicroelectronics STP180N4F6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP180N4F6 |
| EBEE-Teilenummer | E82984839 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 120A 2.7mΩ@10V,60A 190W 4.5V@250uA TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3175 | $ 2.3175 |
| 200+ | $0.8971 | $ 179.4200 |
| 500+ | $0.8661 | $ 433.0500 |
| 1000+ | $0.8497 | $ 849.7000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP180N4F6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 120A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.7mΩ@10V,60A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 560pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 7735pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 130nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.8497 | $ 849.7000 |
