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STMicroelectronics STP110N10F7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP110N10F7 |
| EBEE-Teilenummer | E8472621 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 110A 150W 5.1mΩ@10V,55A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2508 | $ 2.2508 |
| 10+ | $2.1980 | $ 21.9800 |
| 50+ | $2.1635 | $ 108.1750 |
| 100+ | $2.1290 | $ 212.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP110N10F7 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 110A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 5.1mΩ@10V,55A | |
| Stromableitung (Pd) | 150W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 39pF@50V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 5.117nF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 72nC@50V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2508 | $ 2.2508 |
| 10+ | $2.1980 | $ 21.9800 |
| 50+ | $2.1635 | $ 108.1750 |
| 100+ | $2.1290 | $ 212.9000 |
