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STMicroelectronics STP10N62K3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP10N62K3 |
| EBEE-Teilenummer | E87373285 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 620V 8.4A 750mΩ@10V,4A 125W 4.5V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1783 | $ 4.1783 |
| 200+ | $1.6684 | $ 333.6800 |
| 500+ | $1.6118 | $ 805.9000 |
| 1000+ | $1.5845 | $ 1584.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP10N62K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 620V | |
| Dauerdr. | 8.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 750mΩ@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.5V@100uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.25nF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.6118 | $ 805.9000 |
| 1000+ | $1.5845 | $ 1584.5000 |
