Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
STMicroelectronics STP100N6F7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP100N6F7 |
| EBEE-Teilenummer | E8183260 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 100A 5.6mΩ@10V,50A 125W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>231 Auf Lager für schnelle Lieferung
231 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1038 | $ 1.1038 |
| 10+ | $0.9900 | $ 9.9000 |
| 50+ | $0.9276 | $ 46.3800 |
| 100+ | $0.8575 | $ 85.7500 |
| 500+ | $0.8263 | $ 413.1500 |
| 1000+ | $0.8107 | $ 810.7000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP100N6F7 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 5.6mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 86pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.98nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
231 Stock for Shipping Fast
231 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1038 | $ 1.1038 |
| 10+ | $0.9900 | $ 9.9000 |
| 50+ | $0.9276 | $ 46.3800 |
| 100+ | $0.8575 | $ 85.7500 |
| 500+ | $0.8263 | $ 413.1500 |
| 1000+ | $0.8107 | $ 810.7000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
