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STMicroelectronics STP100N10F7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP100N10F7 |
| EBEE-Teilenummer | E82970027 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 80A 150W 6.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.1120 | $ 11.1200 |
| 30+ | $0.9190 | $ 27.5700 |
| 100+ | $0.7506 | $ 75.0600 |
| 500+ | $0.6765 | $ 338.2500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP100N10F7 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 36pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.369nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 823pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC@10V |
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| 30+ | $0.9190 | $ 27.5700 |
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