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STMicroelectronics STO68N65DM6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STO68N65DM6 |
| EBEE-Teilenummer | E83291323 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 55A 53mΩ@10V,27.5A 240W 4.75V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STO68N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 55A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 53mΩ@10V,27.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 240W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.75V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.5pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3528pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
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