| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STL9N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82970419 |
| Gehäuse | VDFN-8-Power |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 4.8A 48W 0.86Ω@10V,2.4A 3V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3010 | $ 2.3010 |
| 200+ | $0.8916 | $ 178.3200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8442 | $ 844.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STL9N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 4.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.86Ω@10V,2.4A | |
| Stromableitung (Pd) | 48W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.68pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 320pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 10nC |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3010 | $ 2.3010 |
| 200+ | $0.8916 | $ 178.3200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8442 | $ 844.2000 |
