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STMicroelectronics STL8N10F7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STL8N10F7 |
| EBEE-Teilenummer | E8222400 |
| Gehäuse | PowerVDFN-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 8A 20mΩ@10V,4A 2.9W 4.5V@250uA 1 N-channel PowerVDFN-8 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STL8N10F7 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 20mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.64nF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@50V |
Einkaufsleitfaden
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