| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STL3NM60N |
| EBEE-Teilenummer | E82971142 |
| Gehäuse | PowerFLAT-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 2.2A 1.5Ω@10V,1A 22W 2.1V@250uA 1 N-channel PowerFLAT-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2648 | $ 1.2648 |
| 10+ | $1.0800 | $ 10.8000 |
| 30+ | $0.9785 | $ 29.3550 |
| 100+ | $0.8643 | $ 86.4300 |
| 500+ | $0.7774 | $ 388.7000 |
| 1000+ | $0.7538 | $ 753.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STL3NM60N | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 2.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,1A | |
| Stromableitung (Pd) | 22W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.1pF@50V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 188pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 9.5nC@480V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2648 | $ 1.2648 |
| 10+ | $1.0800 | $ 10.8000 |
| 30+ | $0.9785 | $ 29.3550 |
| 100+ | $0.8643 | $ 86.4300 |
| 500+ | $0.7774 | $ 388.7000 |
| 1000+ | $0.7538 | $ 753.8000 |
