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STMicroelectronics STL3N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STL3N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82969876 |
| Gehäuse | PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 2.3A 22W 1.8Ω@10V,1A 4V@250uA 1 N-channel PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4499 | $ 0.4499 |
| 10+ | $0.4390 | $ 4.3900 |
| 30+ | $0.4328 | $ 12.9840 |
| 100+ | $0.4266 | $ 42.6600 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STL3N65M2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.8Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 155pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 8pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.4328 | $ 12.9840 |
| 100+ | $0.4266 | $ 42.6600 |
