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STMicroelectronics STL33N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STL33N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82970710 |
| Gehäuse | VDFN-8-Power |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 20A 150W 0.124Ω@10V,10A 3V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8399 | $ 2.8399 |
| 200+ | $1.0989 | $ 219.7800 |
| 500+ | $1.0612 | $ 530.6000 |
| 1000+ | $1.0414 | $ 1041.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STL33N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 20A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.124Ω@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 150W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1790pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 41.5nC |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.0612 | $ 530.6000 |
| 1000+ | $1.0414 | $ 1041.4000 |
