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STMicroelectronics STI34N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STI34N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E87089836 |
| Gehäuse | I2PAKFP(TO-281) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 28A 190W 110mΩ@10V,14A 5V@250uA 1 N-channel I2PAKFP(TO-281) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4587 | $ 8.4587 |
| 200+ | $3.3751 | $ 675.0200 |
| 500+ | $3.2638 | $ 1631.9000 |
| 1000+ | $3.2072 | $ 3207.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STI34N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 28A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 110mΩ@10V,14A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.7nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 62.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $3.2638 | $ 1631.9000 |
| 1000+ | $3.2072 | $ 3207.2000 |
