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STMicroelectronics STI33N60M6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STI33N60M6 |
| EBEE-Teilenummer | E83288465 |
| Gehäuse | I2PAK(TO-262) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 25A 125mΩ@10V,12.5A 190W 4V@250uA 1 N-channel I2PAK(TO-262) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0528 | $ 4.0528 |
| 200+ | $1.5686 | $ 313.7200 |
| 500+ | $1.5136 | $ 756.8000 |
| 1000+ | $1.4871 | $ 1487.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STI33N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 25A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 125mΩ@10V,12.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.515nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 33.4nC |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.5136 | $ 756.8000 |
| 1000+ | $1.4871 | $ 1487.1000 |
