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STMicroelectronics STI32N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STI32N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E85931867 |
| Gehäuse | I2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 24A 119mΩ@10V,12A 150W 5V@250uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.1840 | $ 11.1840 |
| 200+ | $4.4630 | $ 892.6000 |
| 500+ | $4.3133 | $ 2156.6500 |
| 1000+ | $4.2403 | $ 4240.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STI32N65M5 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 24A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 119mΩ@10V,12A | |
| Stromableitung (Pd) | 150W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.32nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 72nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $4.3133 | $ 2156.6500 |
| 1000+ | $4.2403 | $ 4240.3000 |
