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STMicroelectronics STI30N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STI30N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E86829888 |
| Gehäuse | I2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 22A 140W 139mΩ@10V,11A 5V@250uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8825 | $ 9.8825 |
| 200+ | $3.9446 | $ 788.9200 |
| 500+ | $3.8113 | $ 1905.6500 |
| 1000+ | $3.7475 | $ 3747.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STI30N65M5 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 22A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 139mΩ@10V,11A | |
| Stromableitung (Pd) | 140W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.88nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 64nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $3.7475 | $ 3747.5000 |
