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STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STHU32N65DM6AG |
| EBEE-Teilenummer | E83278146 |
| Gehäuse | TO-263-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 37A 83mΩ@10V,18.5A 320W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-263-8 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STHU32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 97mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.211nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52.6nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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