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STMicroelectronics STH30N65DM6-7AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STH30N65DM6-7AG |
| EBEE-Teilenummer | E83288433 |
| Gehäuse | H2PAK-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 28A 115mΩ@10V,10A 223W 4.75V@250uA 1 N-channel H2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $9.9104 | $ 99.1040 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STH30N65DM6-7AG | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 115mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 223W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
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