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STMicroelectronics STFU9N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STFU9N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8495242 |
| Gehäuse | TO-220F-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 5A 0.79Ω@10V,2.5A 20W 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1276 | $ 1.1276 |
| 10+ | $0.9425 | $ 9.4250 |
| 50+ | $0.8422 | $ 42.1100 |
| 100+ | $0.7265 | $ 72.6500 |
| 500+ | $0.6756 | $ 337.8000 |
| 1200+ | $0.6525 | $ 783.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STFU9N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 790mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 310pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.8422 | $ 42.1100 |
| 100+ | $0.7265 | $ 72.6500 |
| 500+ | $0.6756 | $ 337.8000 |
| 1200+ | $0.6525 | $ 783.0000 |
