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STMicroelectronics STFI9N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STFI9N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8500997 |
| Gehäuse | TO-281-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 5.5A 0.78Ω@10V,3A 20W 2V@250uA 1 N-channel TO-281-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1254 | $ 1.1254 |
| 10+ | $1.1023 | $ 11.0230 |
| 30+ | $1.0881 | $ 32.6430 |
| 100+ | $1.0721 | $ 107.2100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STFI9N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 5.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.78Ω@10V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 20W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.68pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 320pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 10nC@480V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1254 | $ 1.1254 |
| 10+ | $1.1023 | $ 11.0230 |
| 30+ | $1.0881 | $ 32.6430 |
| 100+ | $1.0721 | $ 107.2100 |
