| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STFI6N65K3 |
| EBEE-Teilenummer | E8500995 |
| Gehäuse | TO-281-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 5.4A 1.1Ω@10V,2.7A 30W 4.5V@50uA 1 N-channel TO-281-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6748 | $ 5.6748 |
| 10+ | $4.9235 | $ 49.2350 |
| 50+ | $4.4652 | $ 223.2600 |
| 100+ | $4.0825 | $ 408.2500 |
| 500+ | $4.0336 | $ 2016.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STFI6N65K3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.1Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 880pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@500V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6748 | $ 5.6748 |
| 10+ | $4.9235 | $ 49.2350 |
| 50+ | $4.4652 | $ 223.2600 |
| 100+ | $4.0825 | $ 408.2500 |
| 500+ | $4.0336 | $ 2016.8000 |
