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STMicroelectronics STFI20N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STFI20N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E85909779 |
| Gehäuse | I2PAKFP(TO-281) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 18A 48W 190mΩ@10V,9A 3V@250uA 1 N-channel I2PAKFP(TO-281) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8978 | $ 5.8978 |
| 200+ | $2.3529 | $ 470.5800 |
| 500+ | $2.2745 | $ 1137.2500 |
| 1000+ | $2.2361 | $ 2236.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STFI20N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 18A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 190mΩ@10V,9A | |
| Stromableitung (Pd) | 48W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.7pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.434nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $2.2745 | $ 1137.2500 |
| 1000+ | $2.2361 | $ 2236.1000 |
