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STMicroelectronics STF6N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF6N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8155602 |
| Gehäuse | TO-220FP |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 4.5A 20W 1.2Ω@10V,2.25A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.1966 | $ 11.9660 |
| 50+ | $1.0681 | $ 53.4050 |
| 100+ | $0.9226 | $ 92.2600 |
| 500+ | $0.8576 | $ 428.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF6N60M2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 232pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 14pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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