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STMicroelectronics STF22NM60N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF22NM60N |
| EBEE-Teilenummer | E846172 |
| Gehäuse | TO-220FP |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 16A 30W 0.22Ω@10V,8A 3V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2505 | $ 1.2505 |
| 10+ | $1.0511 | $ 10.5110 |
| 50+ | $0.8645 | $ 43.2250 |
| 100+ | $0.7401 | $ 74.0100 |
| 500+ | $0.6859 | $ 342.9500 |
| 1000+ | $0.6620 | $ 662.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF22NM60N | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 220mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.33nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@480V |
Einkaufsleitfaden
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