Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
STMicroelectronics STF16N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF16N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8726248 |
| Gehäuse | TO-220FP |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 11A 360mΩ@10V,5.5A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3156 | $ 1.3156 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 50+ | $1.0094 | $ 50.4700 |
| 100+ | $0.8872 | $ 88.7200 |
| 500+ | $0.8328 | $ 416.4000 |
| 1000+ | $0.8072 | $ 807.2000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF16N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 360mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 718pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3156 | $ 1.3156 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 50+ | $1.0094 | $ 50.4700 |
| 100+ | $0.8872 | $ 88.7200 |
| 500+ | $0.8328 | $ 416.4000 |
| 1000+ | $0.8072 | $ 807.2000 |
