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STMicroelectronics STF11NM60ND
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF11NM60ND |
| EBEE-Teilenummer | E8500969 |
| Gehäuse | TO-220FPAB-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 10A 0.45Ω@10V,5A 90W 5V@250uA 1 N-channel TO-220FPAB-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5888 | $ 7.5888 |
| 10+ | $6.6126 | $ 66.1260 |
| 30+ | $6.0167 | $ 180.5010 |
| 100+ | $5.5173 | $ 551.7300 |
| 500+ | $5.4540 | $ 2727.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF11NM60ND | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 450mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 850pF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5888 | $ 7.5888 |
| 10+ | $6.6126 | $ 66.1260 |
| 30+ | $6.0167 | $ 180.5010 |
| 100+ | $5.5173 | $ 551.7300 |
| 500+ | $5.4540 | $ 2727.0000 |
