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STMicroelectronics STF11N60DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF11N60DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E85268666 |
| Gehäuse | TO-220FP |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 10A 370mΩ@10V,5A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $2.3972 | $ 119.8600 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF11N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 370mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.08pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 614pF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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