| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF10N65K3 |
| EBEE-Teilenummer | E8165615 |
| Gehäuse | TO-220FP |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 10A 35W 0.75Ω@10V,3.6A 4.5V@100uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3020 | $ 4.3020 |
| 10+ | $3.7746 | $ 37.7460 |
| 30+ | $3.4623 | $ 103.8690 |
| 100+ | $3.1462 | $ 314.6200 |
| 500+ | $2.9999 | $ 1499.9500 |
| 1000+ | $2.9331 | $ 2933.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF10N65K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.75Ω@10V,3.6A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.5V@100uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 14pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.18nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 42nC@520V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3020 | $ 4.3020 |
| 10+ | $3.7746 | $ 37.7460 |
| 30+ | $3.4623 | $ 103.8690 |
| 100+ | $3.1462 | $ 314.6200 |
| 500+ | $2.9999 | $ 1499.9500 |
| 1000+ | $2.9331 | $ 2933.1000 |
