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STMicroelectronics STF10N60DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STF10N60DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E83280947 |
| Gehäuse | TO-220FP |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 8A 25W 0.53Ω@10V,4A 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1123 | $ 2.1123 |
| 200+ | $0.8185 | $ 163.7000 |
| 500+ | $0.7895 | $ 394.7500 |
| 1000+ | $0.7750 | $ 775.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STF10N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.53Ω@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 25W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.72pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 529pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 15nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.7895 | $ 394.7500 |
| 1000+ | $0.7750 | $ 775.0000 |
