| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD85N10F7AG |
| EBEE-Teilenummer | E82971350 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 70A 85W 0.0085Ω@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1544 | $ 2.1544 |
| 10+ | $1.8897 | $ 18.8970 |
| 30+ | $1.7253 | $ 51.7590 |
| 100+ | $1.5556 | $ 155.5600 |
| 500+ | $1.4789 | $ 739.4500 |
| 1000+ | $1.4460 | $ 1446.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD85N10F7AG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 70A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.0085Ω@10V,40A | |
| Stromableitung (Pd) | 85W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 45pF@50V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.1nF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1544 | $ 2.1544 |
| 10+ | $1.8897 | $ 18.8970 |
| 30+ | $1.7253 | $ 51.7590 |
| 100+ | $1.5556 | $ 155.5600 |
| 500+ | $1.4789 | $ 739.4500 |
| 1000+ | $1.4460 | $ 1446.0000 |
