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STMicroelectronics STD6N95K5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD6N95K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8455168 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 950V 6A 90W 1.25Ω@10V,3A 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7059 | $ 0.7059 |
| 10+ | $0.6187 | $ 6.1870 |
| 30+ | $0.5743 | $ 17.2290 |
| 100+ | $0.5314 | $ 53.1400 |
| 500+ | $0.5061 | $ 253.0500 |
| 1000+ | $0.4918 | $ 491.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD6N95K5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.25Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 950V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@760V |
Einkaufsleitfaden
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