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STMicroelectronics STD65N55F3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD65N55F3 |
| EBEE-Teilenummer | E85269570 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 55V 80A 110W 8.5mΩ@10V,32A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD65N55F3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 8.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@27V |
Einkaufsleitfaden
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