| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD65N160M9 |
| EBEE-Teilenummer | E85268775 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 20A 106W 132mΩ@10V,10A 3.2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3462 | $ 4.3462 |
| 200+ | $1.6830 | $ 336.6000 |
| 500+ | $1.6228 | $ 811.4000 |
| 1000+ | $1.5936 | $ 1593.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD65N160M9 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 20A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 132mΩ@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 106W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF@400V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1240pF@400V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3462 | $ 4.3462 |
| 200+ | $1.6830 | $ 336.6000 |
| 500+ | $1.6228 | $ 811.4000 |
| 1000+ | $1.5936 | $ 1593.6000 |
