| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD4NK80Z-1 |
| EBEE-Teilenummer | E8457496 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 3A 3.5Ω@10V,1.5A 25W 3V@50uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD4NK80Z-1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3.5Ω@10V,1.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 25W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@50uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 13pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 575pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 22.5nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
