| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD45N10F7 |
| EBEE-Teilenummer | E8118269 |
| Gehäuse | TO-252-2(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 45A 60W 18mΩ@10V,22.5A 4.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4628 | $ 4.4628 |
| 10+ | $3.9391 | $ 39.3910 |
| 30+ | $3.6284 | $ 108.8520 |
| 100+ | $3.3123 | $ 331.2300 |
| 500+ | $3.1679 | $ 1583.9500 |
| 1000+ | $3.1028 | $ 3102.8000 |
| 2500+ | $3.0667 | $ 7666.7500 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD45N10F7 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 45A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 18mΩ@10V,22.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 60W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.64nF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4628 | $ 4.4628 |
| 10+ | $3.9391 | $ 39.3910 |
| 30+ | $3.6284 | $ 108.8520 |
| 100+ | $3.3123 | $ 331.2300 |
| 500+ | $3.1679 | $ 1583.9500 |
| 1000+ | $3.1028 | $ 3102.8000 |
| 2500+ | $3.0667 | $ 7666.7500 |
