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STMicroelectronics STD150N3LLH6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD150N3LLH6 |
| EBEE-Teilenummer | E83277856 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 80A 110W 2.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1712 | $ 1.1712 |
| 200+ | $0.4544 | $ 90.8800 |
| 500+ | $0.4384 | $ 219.2000 |
| 1000+ | $0.4294 | $ 429.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD150N3LLH6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 80A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,40A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.7nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.4384 | $ 219.2000 |
| 1000+ | $0.4294 | $ 429.4000 |
