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STMicroelectronics STD13N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD13N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82970253 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD13N65M2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 430mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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