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STMicroelectronics STD12N60DM2AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD12N60DM2AG |
| EBEE-Teilenummer | E8495234 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD12N60DM2AG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 430mΩ@10V,5A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.7pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 614pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | - |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
