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STMicroelectronics STD10P10F6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD10P10F6 |
| EBEE-Teilenummer | E82971627 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 10A 0.18Ω@10V,5A 40W 2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3625 | $ 0.3625 |
| 10+ | $0.3536 | $ 3.5360 |
| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD10P10F6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.18Ω@10V,5A | |
| Stromableitung (Pd) | 40W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF@80V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 864pF@80V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
