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STMicroelectronics STD105N10F7AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD105N10F7AG |
| EBEE-Teilenummer | E82969853 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 80A 120W 6.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| 30+ | $2.2673 | $ 68.0190 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD105N10F7AG | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 36pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.369nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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