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STMicroelectronics STB8N90K5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB8N90K5 |
| EBEE-Teilenummer | E82935160 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 900V 8A 680mΩ@10V,4A 130W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8737 | $ 4.8737 |
| 200+ | $1.8872 | $ 377.4400 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB8N90K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 900V | |
| Dauerdr. | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 680mΩ@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 130W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@100uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 426pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 11nC |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
