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STMicroelectronics STB80N20M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB80N20M5 |
| EBEE-Teilenummer | E82971202 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 61A 190W 23mΩ@10V,30.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 30+ | $6.0313 | $ 180.9390 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB80N20M5 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 20mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 108nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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