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STMicroelectronics STB7N52K3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB7N52K3 |
| EBEE-Teilenummer | E87324747 |
| Gehäuse | D2PAK(TO-263) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 525V 6A 980mΩ@10V,3.1A 90W 4.5V@50uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7012 | $ 2.7012 |
| 200+ | $1.0788 | $ 215.7600 |
| 500+ | $1.0422 | $ 521.1000 |
| 1000+ | $1.0248 | $ 1024.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB7N52K3 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 525V | |
| Dauerdr. | 6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 980mΩ@10V,3.1A | |
| Stromableitung (Pd) | 90W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.5V@50uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 737pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 34nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.0422 | $ 521.1000 |
| 1000+ | $1.0248 | $ 1024.8000 |
