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STMicroelectronics STB47N50DM6AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB47N50DM6AG |
| EBEE-Teilenummer | E8500945 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 38A 61mΩ@10V,19A 250W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8335 | $ 9.8335 |
| 10+ | $9.6294 | $ 96.2940 |
| 30+ | $9.4945 | $ 284.8350 |
| 100+ | $9.3578 | $ 935.7800 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB47N50DM6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 38A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 61mΩ@10V,19A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.5pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.3nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $9.6294 | $ 96.2940 |
| 30+ | $9.4945 | $ 284.8350 |
| 100+ | $9.3578 | $ 935.7800 |
