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STMicroelectronics STB45N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB45N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E8500944 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 35A 0.078Ω@10V,17.5A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB45N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 78mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.47nF | |
| Gate Charge(Qg) | 82nC@10V |
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