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STMicroelectronics STB43N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB43N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E82970787 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 42A 250W 0.063Ω@10V,21A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4103 | $ 8.4103 |
| 10+ | $8.2047 | $ 82.0470 |
| 30+ | $8.0670 | $ 242.0100 |
| 100+ | $7.9294 | $ 792.9400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB43N65M5 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 63mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 100nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $8.4103 | $ 8.4103 |
| 10+ | $8.2047 | $ 82.0470 |
| 30+ | $8.0670 | $ 242.0100 |
| 100+ | $7.9294 | $ 792.9400 |
