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STMicroelectronics STB35N60DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB35N60DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E8472576 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 28A 0.094Ω@10V,14A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB35N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 28A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.094Ω@10V,14A | |
| Stromableitung (Pd) | 210W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.8pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.4nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 54nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
