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STMicroelectronics STB34NM60N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB34NM60N |
| EBEE-Teilenummer | E87021959 |
| Gehäuse | D2PAK(TO-263) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 29A 105mΩ@10V,14.5A 250W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1401 | $ 17.1401 |
| 200+ | $6.8396 | $ 1367.9200 |
| 500+ | $6.6115 | $ 3305.7500 |
| 1000+ | $6.4983 | $ 6498.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB34NM60N | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 29A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 105mΩ@10V,14.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.722nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 84nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 1000+ | $6.4983 | $ 6498.3000 |
