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STMicroelectronics STB34N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB34N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E8472575 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 28A 110mΩ@10V,14A 190W 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7568 | $ 7.7568 |
| 10+ | $7.5953 | $ 75.9530 |
| 30+ | $7.4887 | $ 224.6610 |
| 100+ | $7.3822 | $ 738.2200 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB34N65M5 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 28A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 110mΩ@10V,14A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.7nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 62.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $7.7568 | $ 7.7568 |
| 10+ | $7.5953 | $ 75.9530 |
| 30+ | $7.4887 | $ 224.6610 |
| 100+ | $7.3822 | $ 738.2200 |
