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STMicroelectronics STB32NM50N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB32NM50N |
| EBEE-Teilenummer | E82971411 |
| Gehäuse | D2PK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 22A 0.13Ω@10V,11A 190W 4V@250uA 1 N-channel D2PK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB32NM50N | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 22A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.13Ω@10V,11A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9.7pF@500V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1973pF@500V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 62.5nC |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
